内存---最小的物理单元是位，从本质上来讲，位是一个位于某种二值状态（通常是0和1）下的电气单元。

八位组成一个字节，这样组合的可能有256种（2的8次方）。

字节是内存可访问的最小单元，每个这样的组合可代表单独的一个数据字符或指令。

ascii码字符集实际上只使用了7位，因此支持128种可能的字符。

对于所有的26个英文字母（包括大小写）、数字和特殊字符来说，这个数目完全够用。

某些语种的字符数目比较庞大，因此它们可能会使用“双字节”字符集（例如汉字）。

pc机上所使用的内存可以分为两大类，分别是只读内存（rom）和随即访问内存（ram）。

从它们的名字上可以看出，rom数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。

即使是断电，rom也能够保留数据。

至于ram则在任何时候都可以读写，因此ram通常用作操作系统或其他正在运行的程序的临时存储介质（可称作系统内存）。

不幸的是，掉电时ram不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。

正因为如此，有时也将ram称作“可变存储器”。

ram内存可以进一步分为静态ram（sram）和动态内存（dram）两大类。

由于实现方法上的差异，dram要比sram慢。

sram由逻辑晶体管组成，数据采用触发的方式进行存储。

因此改变和读取内存单元格的速度非常快。

而dram使用电容存储数据。

由于电容会逐渐放电，所以必须周期性的对它重新充电（即：刷新）。

由于在执行读操作时电容也会放电，因此每次读操作之后也必须重新充电。

刷新操作需要占用时钟周期，这可能会影响到其他的操作。

虽然sram比dram的速度要快近10倍，但是它的价格也要比dram贵许多— 事实上，sram要比dram贵近10倍。

闪存---作为一种非挥发性（简单说就是在不加电的情况下数据也不会丢失，区别于目前常用的计算机内存）的半导体存储芯片，具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质。

随着价格的不断下降以及容量、密度的不断提高，闪存开始向通用化的移动存储产品发展。

闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。

NOR型闪存是目前大家接触得最多的闪存，它在存储格式和读写方式上都与大家常用的内存相近，支持随机读写，具有较高的速度，这也使其非常适合存储程序及相关数据，手机就是它的用武之地。

但是NOR型的最大缺点就是容量小，Intel最近才发布了采用0.13μm工艺生产的64Mb芯片。

与NOR型相比，NAND型闪存的优点就是容量大，在去年512Mb的芯片就不是稀罕事了。

但是，NAND型的速度比较慢，因为它的I/O端口只有8个，比NOR型的少多了。

区区8个端口需要完成地址和数据的传输就得让这些信号轮流传送，很显然，这种时候串行传输比NOR型、内存等芯片的并行传输慢许多。

但是，NAND型的存储和传输是以页和块为单位的（一页包含若干字节，若干页组成块），相对适合大数据的连续传输，这样也可以部分弥补串行传输的不利。

因此，NAND型闪存最适合的工作就是保存大容量的数据，作为电子硬盘、移动存储介质等使用。

为了在各种设备上使用，闪存必须通过各种接口与设备连接：与电脑连接最常用的接口有USB、PCMCIA等；与数码设备连接则有专用的接口和外形规范，如CF、SM、MMC、SD、Memory Stick等，其中应用面最广、扩展能力较强的是CF和Memory Stick。